人工智能與大數(shù)據(jù)對芯片的處理能力提出了越來越嚴(yán)苛的要求，芯片的運算能力和存儲能力正在成為瓶頸，這也是各家半導(dǎo)體公司競相開發(fā)新的硬件平臺、計算架構(gòu)與設(shè)計路線，以期提升芯片性能的主要原因。MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等下一代存儲器技術(shù)興起，便是芯片與系統(tǒng)設(shè)計人員致力研發(fā)的重要成果之一。

這些新型存儲器或者具有更快的存取速度，或者具有更高的耐用性，或者具有更小的裸片尺寸、成本和功耗，甚至有可能為未來存儲器內(nèi)計算 (In-Memory Compute)的開發(fā)提供支撐。但是由于制造環(huán)節(jié)存在瓶頸，目前下一代存儲器的生產(chǎn)良率并不高，難以實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)成為市場主流，量少價高，以特殊應(yīng)用為主。不過，近日記者參加了應(yīng)用材料公司舉辦的媒體活動。其中介紹了應(yīng)用材料公司推出的兩款用于下一代存儲器MRAM、ReRAM和PCRAM的沉積設(shè)備，對于提升下一代存儲器的規(guī)模量產(chǎn)能力有著極大的幫助。相信隨著更多相關(guān)設(shè)備的開發(fā)，未來3-5年當(dāng)中，下一代存儲器有望加快進入市場。

材料工程助力下一代存儲器量產(chǎn)進程

應(yīng)用材料公司是大的半導(dǎo)體設(shè)備公司，一直推動基于材料工程技術(shù)的創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)變革。材料工程學(xué)是半導(dǎo)體技術(shù)的基礎(chǔ)之一，新型材料的科學(xué)運用往往決定著半導(dǎo)體技術(shù)的進步。應(yīng)用材料公司正是積極投入這一領(lǐng)域開發(fā)的公司之一。

應(yīng)用材料中國公司技術(shù)官趙甘鳴表示，隨著摩爾定律的放緩，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨全新的技術(shù)變革，需要層的材料工程技術(shù)的發(fā)展，提供強有力的支撐。為此，過去10年中應(yīng)用材料公司每年平均用于研發(fā)的投入都超過10億美元，2018財年的研發(fā)投入更達到了20億美元，就是希望推動半導(dǎo)體技術(shù)的革新。